智慧树知到《半导体技术导论》章节测试答案 第一章 1、现代电子器件大多是基于半导体材料制备的？ 对 错 答案: 对 第二章 1、p型硅掺杂IV族元素，n型硅掺杂III族元素。 对 错 答案: 错 2、半导体中电流由电子电流和空穴电流构成。 对 错 答案: 对 3、以能带隙种类区分，硅属于直接能带隙半导体。 对 错 答案: 对 4、以下哪种结构不是固体常见的微观结构类型？ 单晶体 多晶体 非晶体 结晶体 答案: 结晶体 5、从能级角度上看，导体就是禁带宽度很小的半导体。 对 错 答案: 错 6、半导体的电导率一般要大于绝缘体的电导率。 对 错 答案: 对 7、在半导体中的空穴流动就是电子流动。 对 错 答案: 错 8、通常来说，晶格常数较大的半导体禁带宽度也较大。 对 错 答案: 错 9、温度为300K的半导体费米能级被电子占据的几率为（）？ 0 1/4 1/2 1 答案: 1/2 10、通常对于同种半导体材料，掺杂浓度越高，载子迁移率越低。 对 错 答案: 对 第三章 1、通常情况下，pn结p区和n区的半导体材料不相同。 对 错 答案: 2、pn结加反偏压时，总电流为0。 对 错 答案: 3、平衡状态下pn结的能带图中，p区和n区的费米能级是分开的。 对 错 答案: 4、金属与n型半导体接触形成欧姆接触，此时金属的功函数应当大于半导体的功函数。 对 错 答案: 5、欧姆接触也称为整流接触。 对 错 答案: 6、通常，超晶格结构是基于异质结设计的。 对 错 答案: 7、n型增强型MOSFET的基底是n型半导体。 对 错 答案: 8、MOSFET的饱和漏极电流大小是由漏极电压决定的。 对 错 答案: 9、MOSFET的栅极氧化层采用High-K材料的目的是增加栅极电容。 对 错 答案: 10、BJT可用于恒定电流源的设计。 对 错 答案: 第四章 1、太阳能电池可以吸收太阳光的所有能量。 对 错 答案: 2、VOC是指短路电压。 对 错 答案: 3、太阳能电池上表面的电极会遮挡电池吸收的阳光。 对 错 答案: 4、以下几种太阳能电池中，效率最高的是（）？